Plasmatechnik 2 (141284-SoSe22)

In­halt

Die 'Plas­ma­tech­nik 2' be­schäf­tigt sich mit grund­sätz­li­chen Fra­gen der Wech­sel­wir­kung von Plas­men mit Ober­flä­chen, der An­wend­bar­keit die­ser Wech­sel­wir­kung und kon­kre­ten phy­si­ka­lisch-tech­ni­schen Pro­zes­sen und Ap­pa­ra­tu­ren.

Im ers­ten Teil der Vor­le­sung spie­len die Ga­spha­sen und Ober­flä­chen­pro­zes­se in mo­der­nen plas­ma­tech­ni­schen Pro­zes­sen eine wich­ti­ge Rolle. An­hand an­schau­li­cher Bil­der wer­den die phy­si­ka­li­schen Grund­la­gen der wich­tigs­ten Ober­flä­chen­pro­zes­se auf­ge­zeigt. Das Zu­sam­men­spiel von Ga­spha­sen und Ober­flä­chen­ki­ne­tik wird am Bei­spiel der Oxi­da­ti­on eines Koh­le­stoff­films auf­ge­zeigt.

Der zwei­te Teil ist der Schicht­ab­schei­dung durch Sput­ter­ver­fah­ren ge­wid­met. Hier­bei wird ins­be­son­de­re auf die am wei­tes­ten ver­brei­te­te Me­tho­de der Ma­gne­tron-Ent­la­dung ein­ge­gan­gen. So­wohl das rein phy­si­ka­li­sche, als auch das re­ak­ti­ve Sput­te­ring von me­tall­si­chen, aber auch die­lek­tri­schen Schich­ten wird auf­ge­zeigt. Grund­sätz­li­che Fra­ge­stel­lun­gen zur Schicht­ab­schei­dung und Schicht­mor­pho­lo­gie wer­den in Ab­hän­gig­keit wich­ti­ger Pa­ra­me­ter er­ör­tert.

Die plas­ma­un­ter­stütz­te che­mi­sche Ab­schei­dung aus der Ga­spha­se (PECVD) bil­det den drit­ten Teil der Vor­le­sung. Hier wird mit ein­fa­chen Mo­del­len die De­po­si­ti­on von für die Mi­kro­elek­tro­nik so wich­ti­gen Fil­men wie Si­li­zi­um­di­oxid und amor­phes was­ser­stoff­do­tier­tes Si­li­zi­um be­spro­chen.

Ter­mi­ne im Som­mer­se­mes­ter

• Be­ginn: Mitt­woch den 13.​04.​2022 ID 03/463
• Vor­le­sung Mitt­wochs: ab 10:15 bis 11.​45 Uhr ID 03/463
  
• Übung Don­ners­tags: Die dazugehörige Übung beginnt eine Woche später und findet immer donnerstags zwischen 08:15 bis 09.​45 Uhr statt.